本文详细记录了使用Silvaco的Athena和Atlas工具对BJT双极性晶体管进行仿真的过程。主要内容包括：1. 使用Athena构建含有N+埋层的npn双极性晶体管，通过调整掺杂浓度和尺寸满足特定工艺要求；2. 进行电学仿真，分析共基极和共发射极的输出特性曲线，包括击穿特性和基区宽度调制效应；3. 输出放大工作状态时的电势电场分布及能带图。文章还探讨了在仿真过程中遇到的挑战及解决方案，如调整BC结的扩散/离子注入工艺参数以提高击穿电压，以及如何优化基区宽度调制效应和电流增益。 在本文中，作者详细记录了利用Silvaco公司开发的Athena和Atlas仿真工具，对双极型晶体管(BJT)特性的仿真实验过程。通过Athena工具构建了一个包含N+埋层的npn型BJT，重点关注了如何通过改变掺杂浓度和晶体管结构尺寸来满足特定的工艺要求。掺杂浓度和尺寸是决定晶体管性能的关键因素，因此，调整这些参数对于达到所需的晶体管特性至关重要。 接着，作者进行了电学仿真，分析了BJT在共基极和共发射极配置下的输出特性曲线。在这部分，仿真重点在于理解晶体管的击穿特性和基区宽度调制效应。击穿特性是指晶体管在过高的电压或电流下失去正常工作能力的特性，而基区宽度调制效应是指基区宽度随集电极电流变化而变化的现象，这是BJT的一个重要特性，影响到晶体管的电流增益。通过仿真，可以直观地观察和分析这些特性对BJT性能的影响。 文章进一步介绍了输出放大工作状态下的电势和电场分布，以及能带图的展现。这些信息对于了解BJT内部载流子的行为和电荷分布具有重要作用。仿真结果不仅帮助研究者理解BJT的工作机制，也为设计和优化器件提供了重要的数据支持。 在仿真过程中，作者还讨论了遇到的挑战及相应的解决方案。比如，在仿真中发现击穿电压较低时，通过调整BC结的扩散和离子注入工艺参数可以提高击穿电压。这一过程涉及到对工艺参数的优化，以确保晶体管能够在较高的电压下安全工作。此外，文章还探讨了如何优化基区宽度调制效应和电流增益，包括在仿真模型中调整各种参数，比如掺杂浓度、载流子浓度和载流子寿命等，以实现晶体管性能的提升。 在整个仿真过程中，作者展现了对Silvaco软件包深入的使用能力，以及在解决具体仿真问题时的细致思考和实践。通过这一系列的仿真步骤，不仅展现了BJT的基本特性，还体现了通过仿真进行器件设计和优化的完整流程。 通过本文的研究，我们可以看到，使用高级仿真软件进行电路设计和器件分析，可以大大加速研发过程，同时降低试错成本。Silvaco软件包为微电子器件的设计和分析提供了强大的工具，而本文所展现的仿真实验，正是这一软件能力的一个例证。

降压转换器，也称为步降转换器，是一种常见的电源转换电路，用于将高电压转换为低电压。在本模型中，重点在于采用Simulink和电子元件来模拟这种转换器，并特别关注MOSFET的栅极驱动器，该驱动器由BJT构建。MATLAB是一个强大的数学计算和仿真软件，广泛应用于工程和科学领域，包括电路设计和分析。 降压转换器的基本原理是通过开关元件（如MOSFET）的通断控制，使得电感中的电流在一定时间间隔内线性增加或减少，从而在负载上得到平均电压低于输入电压的输出。这个过程涉及到电感能量的储存和释放。 在这个Simulink模型中，BJT作为栅极驱动器的关键部分，负责控制MOSFET的开关状态。BJT（双极型晶体管）是一种电流控制器件，它能放大电流并用作开关或放大器。在这里，BJT被用作电流驱动源，通过其集电极-基极电压控制发射极-集电极电流，进而驱动MOSFET的栅极，改变MOSFET的导通电阻，实现电源的降压转换。 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是另一种开关元件，其开关性能受栅极电压控制。高栅极电压使MOSFET导通，低栅极电压则使其截止。由于MOSFET的栅极与源极之间有绝缘层，因此它可以实现更高的开关速度和更低的导通电阻，这对于高效电源转换至关重要。 在设计栅极驱动器时，需要考虑几个关键因素：驱动电压、驱动电流、开关速度、以及防止MOSFET损坏的保护机制，例如过电压保护和过电流保护。BJT作为栅极驱动器可以提供足够的驱动电流，确保MOSFET快速可靠地开关，同时保持良好的开关特性，降低开关损耗。 在使用MATLAB的Simulink环境中，用户可以通过搭建电路模块、设置参数和运行仿真，观察电压、电流波形，理解降压转换器的工作机制。通过这种方式，工程师可以进行设计优化、故障排查和性能评估，而无需实际搭建硬件原型。 这个模型涵盖了电子工程中的基础概念，包括电源转换、开关器件的控制、BJT和MOSFET的工作原理，以及MATLAB在电路仿真中的应用。通过深入理解和应用这些知识，工程师能够设计出更高效、可靠的电源系统。对于学习和研究电源转换技术，尤其是对数字信号控制感兴趣的人员，这是一个非常有价值的工具和资源。

低相位噪声BJT振荡器的设计，谭建薇，孙慧君，本文首先介绍微波晶体管振荡器的理论基础，其次介绍使用射频微波仿真设计软件Agilent公司的EEsof/ADS进行分析和设计一个反射型低噪声��

本软件采用MFC编写，实现了BJT规约串口GPS对时

BJT仿真 Go atlas 调用atlas器件仿真器 mesh 网格mesh初始化 x.m l=0 spacing=0.15 定义x方向网格信息 x.m l=0.8 spacing=0.15 x.m l=1.0 spacing=0.03 x.m l=1.5 spacing=0.12 x.m l=2.0 spacing=0.15 y.m l=0.0 spacing=0.006 定义y方向网格信息 y.m l=0.04 spacing=0.006 y.m l=0.06 spacing=0.005 y.m l=0.15 spacing=0.02 y.m l=0.30 spacing=0.02 y.m l=1.0 spacing=0.12

采用BJT规约实现了串口GPS对时，本软件采用MFC编写，小巧实用

/**************************************************/ /* 常用国产双极型晶体管（BJT）Multisim 10.0元件库 */ /**************************************************/ /* by phoenix */ /* sagegao2008@126.com */ /**************************************************/ 包含器件型号： SS8050/SS8550/SS9012/SS9013/SS9014/SS9015 详细使用方法： 1. 双击“GB-BJT.prz”导入Multisim，出现“Database Merge”界面后点击“start”，在接下来的“Duplicate Component Name”界面上点击“ok”进行导入，完成后点击“close”关闭导入界面。默认导入到用户数据库中并自动命名重复器件。 2. 在Multisim中选择用户数据库的“Transistor”类，可以看到导入的器件，选择并使用。 3. 附带一个分别测试PNP/NPN管的单管共发射极放大器电路“TEST_BJT.ms10”（Multisim 10.0版本）。 注意： 1. 本元件库在Multisim 10.0下进行制作，其它版本下可能无法使用。 2. 数据库基于网络下载的SPICE模型制作，本人不保证其仿真结果与实际电路的一致性（理论上只要SPICE模型足够精确，仿真结果与实际电路还是比较吻合的，否则NI早就被人告上法庭了）。

multisim11.0---tools---database---database manager---compoennts---database:user database ---inport,打开模型文件---OK

multisim11.0---tools---database---database manager---compoennts---database:user database ---inport,打开下载的模型文件便自行安装。

众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。     Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的双极结型晶体管(BJT)开关，能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部(DoE)和欧盟行为准则(CoC)严格的新效率标准的充电器和适配器，帮助工程师设计出能销往美国及欧洲地区且具有更大竞争优势的产品。     LinkS