根据提供的文档信息,我们可以深入解析该产品的关键技术特点与规格参数。 ### 一、产品概述 文档标题中的“H27TDG8T2DW2 F1Y 128Gb MLC Toggle DDR Wafer Datasheet”明确指出这是一份关于SK hynix公司生产的128Gb Multi-Level Cell (MLC) NAND闪存晶圆的数据手册。该产品采用Toggle DDR接口技术,主要面向高性能及成本效益较高的应用领域,如高端移动设备、个人电脑以及数据存储解决方案等。 ### 二、关键特性 #### 1. 多级单元技术 (Multi-Level Cell) 该产品采用了多级单元技术,即每个存储单元可以保存2位数据(2bit/cell),相比单级单元(Single-Level Cell, SLC)可以存储更多数据,同时保持较高的存储密度。这种设计使得产品能够在提供更高容量的同时,保持较好的读写性能。 #### 2. NAND接口 - **Toggle DDR命令接口**:支持高速数据传输,能够显著提高读写速度。 - **x8总线宽度**:意味着每个操作周期内可传输8位数据,增强了数据吞吐能力。 - **DQ端口命令、地址和数据复用**:通过单一端口实现多种信号的传输,简化了电路设计并提高了效率。 #### 3. 供电电压 - 对于所有速度等级,主电源电压Vcc为2.7V~3.6V,而VccQ(用于内部逻辑电路)则为1.7V~1.95V; - 对于低于200Mbps的速率,VccQ的范围扩大至2.7V~3.6V。 #### 4. 组织结构 - **页面数**:每块含有388个页面; - **块数**:每个平面包含1362个块; - **平面数**:共有2个平面; - **单个块大小**:6.0625MB,由388个页面组成,每个页面大小为16,384字节加1,664字节的冗余区域; - **设备容量**:单个设备大小为2704+20个块,总容量达到128Gb。 #### 5. 操作时间 - **随机读取时间 (tR)**:典型值为60μs; - **页面编程时间 (tPROG)**:典型值为1000μs; - **块擦除时间 (tBERS)**:典型值为7ms,最大值为10ms。 #### 6. DQ性能 - **读取周期时间 (tRC)**:可选3.75ns或10ns; - **每针读取/写入吞吐量**:最高可达533Mbps。 #### 7. 单个芯片工作电流 - **页面读取 (ICC1)**:最大50mA; - **页面编程 (ICC2)**:最大50mA; - **DQ突发读取 (ICC4R)**:最大80mA; - **DQ突发编程 (ICC4W)**:最大80mA; - **空闲状态 (ICC5)**:最大5mA; - **待机模式 (ISB)**:最大100μA。 #### 8. 封装 该产品为晶圆形式,未进行封装,适用于定制化的封装需求。 ### 三、应用领域 由于其出色的性能表现和成本效益,F1Y 128Gb MLC NAND特别适合以下应用场景: - **高端移动设备**:智能手机、平板电脑等; - **个人电脑**:固态硬盘、内存条等; - **数据存储解决方案**:服务器、数据中心等。 ### 四、版本历史 该数据手册经过多次修订,版本号从0.0到0.2,修订日期分别为2017年5月31日、6月20日和7月11日,修订内容涉及垫片位置更新、垫片接触信息更新、零件编号描述更新以及关键特性更新(包括tPROG、tR、ISB等指标)。 通过以上分析,我们可以看到SK hynix F1Y 128Gb MLC NAND是一款具备高性能和高性价比的产品,在多个方面都展现出卓越的技术实力,是当今市场上极具竞争力的NAND闪存解决方案之一。
2025-05-26 04:11:12 378KB wafer
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根据提供的文档信息,我们可以深入解析该产品的特性与技术细节,主要围绕标题、描述、标签以及部分内容中的关键信息展开。 ### 标题与描述解析 标题:“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015” 描述:“MLC_3Dnm_V2_128Gb_H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)_Toggle_Rev,0.1,Jun,2015” 这两个部分都提到了“MLC-3Dnm-V2-128Gb-H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)-Toggle-Rev,0.1,Jun,2015”,其中包含了多个重要的技术术语和规格参数: 1. **MLC (Multi-Level Cell)**:表示这款产品采用的是多电平单元存储技术。相比单电平单元(SLC),MLC能够在每个单元存储更多位的信息(通常是2位),从而提高存储密度但牺牲了一定的耐久性和读写速度。 2. **3Dnm**:这里的“3D”指的是三维堆叠技术,即通过在垂直方向上堆叠存储单元来增加存储密度。“nm”通常代表纳米技术节点,这里可能指的是采用的制造工艺技术节点,例如20nm或更先进的技术。 3. **V2**:版本标识,表明这是第二代产品。 4. **128Gb**:存储容量为128Gb,即16GB。 5. **H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)**:具体的产品型号编码,包含了大量的产品信息。 6. **Toggle**:指该产品采用了Toggle DDR接口技术,这是一种高速数据传输方式,适用于移动设备和其他高性能应用。 ### 标签解析 标签:“H27QDG8T(D)2CD(W) MLC128Gb” 标签进一步强调了产品的型号编码和存储容量,其中“MLC128Gb”再次明确了这是一款基于MLC技术的128Gb(16GB)存储器。 ### 部分内容解析 #### 版本历史 - **Rev 0.1/Jun. 2015**:这份文档的修订版本是0.1版,发布于2015年6月。它是在初步版本基础上增加了部分编号和一些额外信息。 #### 关键特性 1. **Multilevel Cell technology**:采用MLC技术。 2. **Part number**:提供了三个不同的型号编码及其对应的接口速度: - H27QDG8T2CDA-BGC (533Mbps) - H27QDG8D2CDA-BCC (200Mbps) - H27QDG8T2CW1-BCC (200Mbps) 3. **NAND Interface**:采用Toggle DDR命令接口,8位总线宽度,指令、地址和数据信号端口复用。 4. **Supply Voltage**:核心电压范围为2.7V至3.6V,VccQ电压范围为1.7V至1.95V。 5. **Organization**:组织结构包括每页16,384字节加1,280字节冗余区域,每个块包含576个页面,每个设备有1,824个主块加56个扩展块。 6. **Page Read / Program Time**:随机读取时间为70微秒,页面编程时间为900微秒。 7. **Block Erase**:擦除时间典型值为10毫秒,最大值为20毫秒。 8. **DQ performance**:读取周期时间为3.75纳秒或10纳秒。 9. **Single Die Operating Current**:不同操作模式下的电流消耗,如读取时最大50毫安,编程时最大50毫安等。 10. **Package**:封装形式为晶圆。 #### 概述描述 该文档还提供了一个概述性描述,指出SK海力士的H27QDG8T(D)2CD(W)A(2)适合用于高性能应用,如高端移动解决方案和PC数据存储解决方案。它具备Toggle DDR接口,并且支持双向DQS,提供高性能NAND闪存存储能力。 此文档详细介绍了SK海力士的一款基于MLC技术的128Gb NAND闪存产品的技术规格、性能参数及应用场景。通过这些信息,我们可以深入了解其设计特点和技术优势。
2025-05-26 04:07:02 347KB
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**终端LLM AI模型:mlc-llm详解** MLC LLM,全称为Multi-Language Localized Language Model,是一款创新的AI技术,旨在提供一种通用的解决方案,将强大的语言模型能力带入各种硬件设备和本地应用程序。这个模型的出现使得用户无需依赖云端服务,即可在个人设备上进行AI模型的开发、优化和部署,极大地提升了隐私保护和效率。 **一、模型架构与功能** MLC LLM的核心在于其高度的可移植性和适应性。它能够适应各种不同的硬件平台,包括但不限于智能手机、智能音箱、嵌入式设备等,这得益于其对硬件资源的高效利用和优化。模型的设计使得即使在资源有限的环境下,也能运行顺畅,提供实时的语言理解和生成能力。 **二、语言处理能力** 作为一款大语言模型,MLC LLM具备处理多种语言的能力,支持全球化应用需求。它能理解并生成文本,进行问答、聊天、翻译、摘要等多种自然语言处理任务,为用户提供无缝的多语言交互体验。同时,该模型还能持续学习和更新,以适应不断变化的语言环境和用户需求。 **三、强化学习的应用** 强化学习是MLC LLM的另一个重要特点。通过模拟人与环境的互动,模型可以自我学习和改进,以达到更高的任务完成度。在本地环境中,强化学习可以更快地迭代和优化模型,使其更加适应特定用户的习惯和偏好,提高用户体验。 **四、本地化与隐私保护** 将AI模型部署在本地设备上,用户数据不必上传到云端,从而避免了隐私泄露的风险。这种本地化策略确保了用户数据的安全,同时也减少了网络延迟,使响应速度更快,特别是在网络条件不佳的情况下。 **五、开发与优化流程** 使用mlc-llm-main,开发者可以便捷地进行模型的本地开发和优化。这个主文件可能包含了模型的源代码、预训练权重、开发工具以及相关文档。开发者可以通过这个入口,根据具体硬件环境调整模型参数,进行模型裁剪、量化等操作,以达到最佳的性能和资源利用率。 **六、未来展望** 随着AI技术的发展,MLC LLM这样的本地化AI模型将会在智能家居、物联网、自动驾驶等多个领域发挥重要作用。同时,随着边缘计算的兴起,终端AI模型将更加普及,为人们的生活带来智能化的便利。 MLC LLM是人工智能领域的一个重要里程碑,它标志着AI模型正逐渐从云端走向本地,为用户提供了更安全、更快速、更个性化的服务。通过本地部署和强化学习,它有望推动AI技术在各个领域的广泛应用。
2024-08-30 17:48:00 11.62MB 人工智能 强化学习
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东亚三角涡虫肌球蛋白轻链MLC蛋白的鉴定及融合表达,余淑英,赵博生,目的:为了表达肌球蛋白轻链融合蛋白,构建了原核表达载体。方法:根据涡虫基因文库中肌球蛋白轻链(Mlc)基因完整的ORF序列设计合成�
2024-03-01 19:24:46 536KB 首发论文
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SM3280BB主控 3D MLC(29F01T2ANCMG4、29F02T2AOCMG2)颗粒量产工具,SM3280 Series_sm32Xtest_V71-7
2022-08-24 22:00:38 7.88MB SM3280BB 3DMLC L06B 29F01T2ANCMG4
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2022-06-24 09:06:27 1.86MB 移动开发-基于缩短极化码的MLC
PS2251-68-25+东芝MLC黑片 DELL系统恢复U盘,USB2.0 Win10蓝色贴纸标签版, 主控芯片是PS2251-68(PS2268) 有写保护,很多工具爆红,已测试多个可用BurnerFile 选择BN68V509TAW.BIN 第二行FirmwareFile选择FW68FF01V50310M_20151204.bin。 量产完会有惊喜发现,U盘外壳标注的容量是8GB,实际容量是16GB,系统下看到的是14.9GB
2022-05-26 20:00:58 1.77MB 桌面
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Intel Memory Latency Checker(Intel MLC) 解压即可使用,兼容windows和linux
2022-05-07 17:00:33 792KB 测试工具 linux 内存测试
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用对角线算法检测MLC NAND Flash的干扰故障,郑基锋,,随着半导体工艺的迅速推进,尤其在存储芯片领域,工艺节点的逐年缩小,存储芯片的故障变得更加复杂。存储单元间距逐步缩小,导致
2022-05-03 12:02:56 246KB MLC NAND Flash Memory
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磨损均衡算法对比CFTL代码,目标整理代码实现在MLC上支持DFTL,SDFTL,CPFTL
2021-12-15 19:11:43 1.1MB C/C 开发-其它杂项
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